季度通过打开反馈回路来保持尖端-基板距离。
全国g）由8V的VGS控制的像素切换特性。电力本文展示了如何在氮化镓基外延晶片上直接合成二硫化钼（MoS2）薄膜以形成薄膜晶体管阵列。
本文的MoS2在相对较低的温度下直接在GaN外延晶圆上合成，供需不会对LED有源层造成任何损害，供需并且无需额外的复杂工艺即可制造用于高分辨率micro-LED显示器的背板TFT。形势b）左：在GaN晶片上生长的MoS2双层的TEM图像。b）双分子层MoS2TFT在W/L为45µm/10µm的硅晶片上的转移特性，分析发布驱动电压为VDS=1V。
预测图2：在GaN晶片上生长的双层MoS2的光学和电学特性。然而，报告MoS2在相对较低的温度下直接在GaN外延晶圆上合成，报告不会对LED有源层造成任何损害，并且无需额外的复杂工艺即可制造用于高分辨率micro-LED显示器的背板TFT。
四、季度数据概览图1：MoS2晶体管与GaN基的全彩micro-LED显示器的单片集成。
用于LED的GaN外延层、全国用于晶体管的MoS2层和用于颜色转换的QD在同一衬底上沉积和图案化。首先，电力3个半月的宠物狗是处于训练期，尤其是在拉粑粑方面，要耐心慢慢的训练，以保证狗狗的安全。
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